LED

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Prodotto	Descrizione	Dimensioni	Lunghezza d'onda	Package	Potenza di Uscita (mW)	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia	Half Angle (deg)	Temperatura di funzionamento	Chip Material	Lunghezza D'onda (nm)	Potenza di Uscita @If(mA)
Confronta	NS310M-88IG Nitride Semiconductor - LED Deep UV	Dimensioni 45 x 45 x 4	Lunghezza d'onda 310 nm	Package Chip on board	Potenza di Uscita (mW) 70	Tensione Diretta Tipica (V) 48	Tipologia Ultra Violet LEDs
Confronta	NSxxL-6DIG Nitride Semiconductor - LED Deep UV	Dimensioni 6.3 x 6.3 x 1.8	Lunghezza d'onda 270-280 nm 305-315 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 3.1 1.8	Tensione Diretta Tipica (V) 6.5 5.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 115	Temperatura di funzionamento -30 ~ +60 °C
Confronta	NSxxxL-2SVR Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 2.7 x 2.7 x 2.0	Lunghezza d'onda 360-370 nm 380-390 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 800 930 1000	Tensione Diretta Tipica (V) 3.8 3.6 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 110	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	NSxxxL-3SLG Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 1.1	Lunghezza d'onda 360-370 nm 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1300 1750 1650	Tensione Diretta Tipica (V) 3.7 3.4 3.6	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 115	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	NSxxxL-3SLR Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 2.5	Lunghezza d'onda 360-370 nm 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1300 1750 1650	Tensione Diretta Tipica (V) 3.7 3.6 3.4	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 62	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	NSxxxL-3SVR Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 2.0	Lunghezza d'onda 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1200 1100	Tensione Diretta Tipica (V) 3.6 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 120	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	NSxxxL-3SVT Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 3.5 x 3.5 x 2.8	Lunghezza d'onda 380-390 nm 390-400 nm 400-410 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 1100 1050	Tensione Diretta Tipica (V) 3.6 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 45	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	NSxxxL-6D4G Nitride Semiconductor - LED Deep UV	Dimensioni 6.3 x 6.3 x 1.8	Lunghezza d'onda 270-280 nm 305-315 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 13.0 6.8	Tensione Diretta Tipica (V) 6.5 5.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 116	Temperatura di funzionamento -30 ~ +60 °C
Confronta	NSxxxL-7SMG Nitride Semiconductor - LED UV	Dimensioni 6.8 x 6.8 x 1.0	Lunghezza d'onda 360-370 nm 380-390 nm 400-410 nm 390-400 nm	Package Surface mount	Potenza di Uscita (mW) 3800 3500	Tensione Diretta Tipica (V) 4.0 3.5	Tipologia Ultra Violet LEDs	Half Angle (deg) 115	Temperatura di funzionamento -10 ~ +85 °C
Confronta	KED050CXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED, Point-source Infrared LED			Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita (mW) 2.4		Tipologia Point Source LEDs	Half Angle (deg) 115		Chip Material GaAIAs	Lunghezza D'onda (nm) 850	Potenza di Uscita @If(mA) 50