KPT801C

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KPT801C

Codice prodotto

KPT801C

Produttore

Kyosemi Corporation

Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi

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Caratteristiche:

• NPN fototransistor
• Versione in ceramica
• Bassa corrente di perdita

Applicazioni:

• Switch ottici
• Encoder ottici
• Photo-isolator
• Sensori infrarossi
• Apparato di controllo automatico

Half Angle (deg)

120

Package

ϕ3 ceramic, epoxy lens

Peak sens. wavelenght (nm)

800

Photo Current Vce = 5 V

4 (mA) 1000 (lx)

Sensitive Area (mm)

0.64 x 0.64

Tipologia

Silicon Phototransistors

Scheda tecnica226.4 KB

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