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Discontinued
KPT081M32
Codice prodotto
KPT081M32
Produttore
Caratteristiche:
- NPN fototransistor
- Invasatura epossidica trasparente
- Bassa corrente di perdita
Applicazioni:
- Switch ottici
- Encoder ottici
- Photo-isolator
- Sensori infrarossi
- Apparato di controllo automatico
Half Angle (deg)
90
Package
ϕ3 plastic mold
Peak sens. wavelenght (nm)
800
Photo Current Vce = 5 V
4 (mA) 1000 (lx)
Sensitive Area (mm)
0.64 x 0.64
Tipologia
Silicon Phototransistors
Scheda tecnica359.17 KB