Sensori optoelettronici

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Half Angle (deg)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tipologia
Confronta	KED308HQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 12	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 12	Tipologia Parallel Beam LEds
Confronta	KED308HV Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Parallel Beam Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 8	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 7	Tipologia Parallel Beam LEds
Confronta	KED351HDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 12	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 4	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KED351RHD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 10	Lunghezza D'onda (nm) 660	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 1.8	Tipologia Red LEDs
Confronta	KED351RKD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 32	Lunghezza D'onda (nm) 660	Package TO-18, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 3.6	Tipologia Red LEDs
Confronta	KED353KDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 42	Lunghezza D'onda (nm) 870	Package TO-18, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 6	Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KED354RHD Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Red LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 45	Lunghezza D'onda (nm) 660	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 3	Tipologia Red LEDs
Confronta	KED358HQ-N Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs High Power Infrare LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 11	Lunghezza D'onda (nm) 890	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 3	Tipologia Parallel Beam LEds
Confronta	KED358RHDQ Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Parallel Beam LED, GaAIAs Red LED	Chip Material GaAIAs	Half Angle (deg) 11	Lunghezza D'onda (nm) 660	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 2	Tipologia Parallel Beam LEds
Confronta	KED365UH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Ultra Violet UV Led	Chip Material GaN	Half Angle (deg) 16	Lunghezza D'onda (nm) 367	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 0.7	Tipologia Ultra Violet LEDs