Sensori optoelettronici

Sensori optoelettronici

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Prodotto	Descrizione	Dust Proof	Gap	Montaggio	Output	Serie	Output Mode	Tipo di uscita	Half Angle (deg)	Package	Peak sens. wavelenght (nm)	Sensitive Area (mm)	Short circuit current (µA)	Short circuit current (lx)	Tipologia	Responsività (mA/W) @λ(nm)	Sensitive Area (µmɸ)	Sensitive Wavelenght (nm)	Short circuit current (mA/W) @λ(nm)
Confronta	KP1662 Modello KP1662 è un fotointerruttore a prisma con un LED ad infrarossi e un Photo transistor.	Dust Proof Yes	Gap 30mm	Montaggio Snap-in & Connector	Output Analog output	Serie Serie KP
Confronta	KP1663 Modello KP1663 è un fotointerruttore a prisma con un LED ad infrarossi e un Photo transistor.	Dust Proof Yes	Gap 30mm	Montaggio Snap-in & Connector	Output Analog output	Serie Serie KP
Confronta	KP1850 Modello KP1850 è un sensore prism type photo sensor con un LED rosso Infra e un Photo IC, con custodia in plastica trasparente	Dust Proof Yes	Gap 100mm	Montaggio Connector	Output Light modulation type	Serie Serie KP	Output Mode Livello logico alto	Tipo di uscita Pull-up
Confronta	KP3250 Modello KP3250 è un sensore prism type photo sensor con un LED rosso Infra e un Photo transistor.	Dust Proof Yes	Gap 30mm	Montaggio Connector	Output Analog output	Serie Serie KP	Output Mode Livello logico alto	Tipo di uscita Pull-up
Confronta	KPD31S Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiodes, Kyosemi								Half Angle (deg) -	Package Surface mount	Peak sens. wavelenght (nm) 950	Sensitive Area (mm) 2.80 x 0.80	Short circuit current (µA) 22	Short circuit current (lx) 1000	Tipologia Silicon Photodiodes
Confronta	KPD3212 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Photodiode Array & Position sensing detector (PSD), Kyosemi								Half Angle (deg) -	Package Surface mount	Peak sens. wavelenght (nm) 950	Sensitive Area (mm) 1.5 x 1.0 (per 1ch)			Tipologia Silicon Photodiode Array & Position sensing detector (PSD)	Responsività (mA/W) @λ(nm) 16(µA) @ 1000 lx
Confronta	KPDE086S-H85P Photodevices for Sensors - Detectors, Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes, Kyosemi								Half Angle (deg) -	Package TO-46, hermetic seal, TE cooler	Peak sens. wavelenght (nm) 1600	Sensitive Area (mm) 0.86 x 0.86			Tipologia Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes	Responsività (mA/W) @λ(nm) 1000 @ 1550
Confronta	KPDE150 Photodevices for Sensors - Detectors, InGaAs NIR Photodiodes, Kyosemi									Package TO-18, hermetic seal					Tipologia InGaAs NIR Photodiodes	Responsività (mA/W) @λ(nm) 1.0 @ 1550	Sensitive Area (µmɸ) 1500	Sensitive Wavelenght (nm) 900 - 1700
Confronta	KPDU400F-2 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon UV Sensors, Kyosemi								Half Angle (deg) 70	Package TO-5, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 254	Sensitive Area (mm) 4 x 4			Tipologia Silicon UV Sensors				Short circuit current (mA/W) @λ(nm) 30 @ 254
Confronta	KPDU400QW-2 Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon UV Sensors, Kyosemi								Half Angle (deg) 70	Package TO-5, hermetic seal	Peak sens. wavelenght (nm) 950	Sensitive Area (mm) 4 x 4			Tipologia Silicon UV Sensors				Short circuit current (mA/W) @λ(nm) 120 @ 365