KPT801HB

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KPT801HB

Codice prodotto

KPT801HB

Produttore

Kyosemi Corporation

Photodevices for Sensors - Detectors, Silicon Phototransistor, Kyosemi

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• Caratteristiche

Caratteristiche:

• NPN fototransistor
• Versione a chiusura ermetica con lente in vetro
• Bassa corrente di perdita

Applicazioni:

• Switch ottici
• Encoder ottici
• Photo-isolator
• Sensori infrarossi
• Apparato di controllo automatico

Half Angle (deg)

17

Package

TO-18, hermetic seal

Peak sens. wavelenght (nm)

800

Photo Current Vce = 5 V

3 (mA) 100 (lx)

Sensitive Area (mm)

0.64 x 0.64

Tipologia

Silicon Phototransistors

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