KPDE086S-H85P

KPDE086S-H85P
KPDE086S-H85P
Codice prodotto
KPDE086S-H85P
Produttore
Photodevices for Sensors - Detectors, Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes, Kyosemi

Caratteristiche:

  • Ampia area sensibile: 860µm sq.
  • Bassa dark current, elevata resistenza di shunt
  • Elettricamente raffreddato con TEC e termistore
  • Piccole dimensioni (TO-46 package)

Applicazioni:

  • Spettroscopia IR
  • Misuratore di potenza

 

Half Angle (deg)
-
Package
TO-46, hermetic seal, TE cooler
Peak sens. wavelenght (nm)
1600
Responsività (mA/W) @λ(nm)
1000 @ 1550
Sensitive Area (mm)
0.86 x 0.86
Tipologia
Thermoelectrically Cooled InGaAs-InAs Photodiodes
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