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Prodotto	Descrizione	Chip Material	Colore	Colore Resina	Diametro Esterno (mm)	Half Angle (deg)	Intensità Luminosa (mcd)	Lunghezza D'onda (nm)	Package	Potenza di Uscita @If(mA)	Potenza di Uscita (mW)	Tensione Diretta Max. (V)	Tensione Diretta Tipica (V)	Tipologia
Confronta	KED661M51 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Rosso, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material GaAIAs	Colore Rosso	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀5	Half Angle (deg) 20	Intensità Luminosa (mcd) 1000	Lunghezza D'onda (nm) 660	Package M51	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 4	Tensione Diretta Max. (V) 2.3	Tensione Diretta Tipica (V) 1.8	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Confronta	KED671M34 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Plastic Mold LEDs for sensors, colore Rosso, Kyosemi Photodevices for sensors	Chip Material GaAIAs	Colore Rosso	Colore Resina Clear	Diametro Esterno (mm) ⌀3	Half Angle (deg) 90	Intensità Luminosa (mcd) 50	Lunghezza D'onda (nm) 675	Package M34	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 5.1	Tensione Diretta Max. (V) 2.3	Tensione Diretta Tipica (V) 1.8	Tipologia Plastic Mold LEDs for Sensors
Confronta	KEDE1304H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP				Half Angle (deg) 80		Lunghezza D'onda (nm) 1300	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5			Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1452H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP				Half Angle (deg) 20		Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.8			Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1454H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP				Half Angle (deg) 80		Lunghezza D'onda (nm) 1450	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2.5			Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1552H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP				Half Angle (deg) 20		Lunghezza D'onda (nm) 1550	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 1.8			Tipologia Infrared LEDs
Confronta	KEDE1652H Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, InGaAsP Infrared LED	Chip Material InGaAsP				Half Angle (deg) 20		Lunghezza D'onda (nm) 1650	Package TO-18, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 50	Potenza di Uscita (mW) 2			Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED080DXH Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, Point Source LED, Point-source Infrared LED	Chip Material GaAIAs				Half Angle (deg) 110		Lunghezza D'onda (nm) 850	Package TO-46, hermetic seal	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 1.0			Tipologia Point Source LEDs
Discontinued Confronta	KED085-P01 Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs Infrared LED	Chip Material GaAIAs				Half Angle (deg) 130		Lunghezza D'onda (nm) 850	Package Surface mount	Potenza di Uscita @If(mA) 1000				Tipologia Infrared LEDs
Discontinued Confronta	KED351CDL Kyosemi, Photodevices for Sensors - Emitters, GaAIAs High Power Infrared LED	Chip Material GaAIAs				Half Angle (deg) 145		Lunghezza D'onda (nm) 870	Package ϕ3 ceramic, epoxy lens	Potenza di Uscita @If(mA) 20	Potenza di Uscita (mW) 6			Tipologia Infrared LEDs